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參數(shù)資料
| 型號： | HMJE3055T |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | HMJE3055T |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HMJE3055T
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE6737-A
Issued Date : 1993.09.24
Revised Date : 1999.08.01
Page No. : 1/3
HSMC Product Specification
Description
The HMJE3055T is designed for general purpose of amplifier and
switching applications.
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25
°
C)
Maximum Temperature
Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature..................................................................................... 150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Tc=25
°
C).................................................................................... 75 W
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)................................................................................... 0.6 W
Maximum Voltages and Currents (Ta=25
°
C)
BVCBO Collector to Base Voltage...................................................................................... 70 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................... 60 V
BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... 5 V
IC Collector Current ........................................................................................................... 10 A
IB Base Current.................................................................................................................... 6 A
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
ICEX
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(on)
*hFE1
*hFE2
fT
Min.
60
70
5
-
-
-
-
-
-
-
20
5
2
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
1.
1.
700
5
1.1
8.0
1.8
100
-
-
Unit
V
V
V
mA
mA
uA
mA
V
V
V
Test Conditions
IC=200mA, IB=0
IC=10mA, IE=0
IE=10mA, IC=0
VCB=70V, IE=0
VCE=70V, VEB(off)=1.5V
VCE=30V, IB=0
VEB=5V, IC=0
IC=4A, IB=400mA
IC=10A, IB=3.3A
IC=4A, VCE=4V
IC=4A, VCE=4V
IC=10A, VCE=4V
VCE=10V, IC=500mA, f=0.5MHz
*Pulse Test : Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
MHz
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| HMK105B7102MV-F | 功能描述:1000pF ±20% 100V 陶瓷電容器 X7R 0402（1005 公制） 制造商:taiyo yuden 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電容:1000pF 容差:±20% 電壓 - 額定:100V 溫度系數(shù):X7R 工作溫度:-55°C ~ 125°C 特性:- 等級:- 應(yīng)用:SMPS 過濾器 故障率:- 安裝類型:表面貼裝，MLCC 封裝/外殼:0402（1005 公制） 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.020" 寬（1.00mm x 0.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 厚度（最大值）:0.022"（0.55mm） 引線間距:- 引線形式:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| HMK105B7152MV-F | 功能描述:1500pF ±20% 100V 陶瓷電容器 X7R 0402（1005 公制） 制造商:taiyo yuden 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電容:1500pF 容差:±20% 電壓 - 額定:100V 溫度系數(shù):X7R 工作溫度:-55°C ~ 125°C 特性:- 等級:- 應(yīng)用:SMPS 過濾器 故障率:- 安裝類型:表面貼裝，MLCC 封裝/外殼:0402（1005 公制） 大小/尺寸:0.039" 長 x 0.020" 寬（1.00mm x 0.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 厚度（最大值）:0.022"（0.55mm） 引線間距:- 引線形式:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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