參數(shù)資料
型號： HMC409LP4
廠商： 美國訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz
中文描述： 砷化鎵的InGaP HBT 1瓦功率放大器，3月3日至3月8號吉赫
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 422K
代理商： HMC409LP4
A
5
5 - 173
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Evaluation PCB
The circuit board used in the final application
should use RF circuit design techniques. Signal
lines should have 50 ohm impedance while the
package ground leads and exposed paddle should
be connected directly to the ground plane similar to
that shown. A sufficient number of VIA holes should
be used to connect the top and bottom ground
planes. The evaluation board should be mounted
to an appropriate heat sink. The evaluation circuit
board shown is available from Hittite upon request.
List of Materials for Evaluation PCB 108355
[1]
Item
Description
J1 - J2
PCB Mount SMA RF Connector
J3, J4
2 mm DC Header
C1 - C5
100 pF Capacitor, 0402 Pkg.
C6 - C7
1000 pF Capacitor, 0603 Pkg.
C8
10 pF Capacitor, 0402 Pkg.
C9
0.5 pF Capacitor, 0603 Pkg.
C10
1.6 pF Capacitor, 0603 Pkg.
C11
4.7 μF, Tantalum
L1, L2
3.9 nH Inductor, 0603 Pkg.
L3
2.2 nH Inductor, 0402 Pkg. Toko
R1
56 Ohm Resistor, 0603 Pkg.
U1
HMC409LP4 / HMC409LP4E Amplifier
PCB
[2]
108353 Eval Board
[1] Reference this number when ordering complete evaluation PCB
[2] Circuit Board Material: Rogers 4350, Er = 3.48
HMC409LP4
/
409LP4E
GaAs InGaP HBT 1 WATT
POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz
v01.0705
相關PDF資料
PDF描述
HMC409LP4E GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz
HMC410MS8G GaAs MMIC DOUBLE-BALANCED HIGH IP3 MIXER, 9.0 - 15.0 GHz
HMC411MS8G GaAs MMIC SINGLE-BALANCED MIXER, 10.0 - 15.0 GHz
HMC412MS8G DOUBLE-BALANCED MIXER, 9.0 - 15.0 GHz
HMC413QS16G Patch Cord; Cable Length:4ft; Approval Categories:Exceeds Category 6 Standards; Color:White; Features:4-Pair 23 AWG UTP modular cord, very small footprint, exceeds Category 6 standards RoHS Compliant: Yes
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HMC409LP4_10 制造商:HITTITE 制造商全稱:Hittite Microwave Corporation 功能描述:GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz
HMC409LP4E 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC PWR AMP HBT 1W 24-QFN
HMC409LP4ETR 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:HP409 Series 3.3 - 3.8 GHz GaAs InGaP HBT 1 Watt Power Amplifier - QFN-24
HMC40DRAH 功能描述:CONN EDGECARD 80POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:40 位置數(shù):80 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點:- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點材料:銅鈹 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點類型：:全波紋管 顏色:藍 包裝:管件 法蘭特點:頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
HMC40DRAH-S734 功能描述:CONN EDGECARD 80POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:40 位置數(shù):80 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點:- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點材料:銅鈹 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點類型：:全波紋管 顏色:藍 包裝:管件 法蘭特點:頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
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