參數(shù)資料
型號(hào)： HMC409LP4
廠商： 美國(guó)訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz
中文描述： 砷化鎵的InGaP HBT 1瓦功率放大器，3月3日至3月8號(hào)吉赫
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 422K
代理商： HMC409LP4
A
5
5 - 170
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20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
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Outline Drawing
NOTES:
1. LEADFRAME MATERIAL: COPPER ALLOY
2. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS]
3. LEAD SPACING TOLERANCE IS NON-CUMULATIVE.
4. PAD BURR LENGTH SHALL BE 0.15mm MAXIMUM.
PAD BURR HEIGHT SHALL BE 0.05mm MAXIMUM.
5. PACKAGE WARP SHALL NOT EXCEED 0.05mm.
6. ALL GROUND LEADS AND GROUND PADDLE MUST BE
SOLDERED TO PCB RF GROUND.
7. REFER TO HITTITE APPLICATION NOTE FOR SUGGESTED
LAND PATTERN.
Absolute Maximum Ratings
Collector Bias Voltage (Vcc1, Vcc2)
+5.5 Vdc
Control Voltage (Vpd)
+5.5 Vdc
RF Input Power (RFin)(Vs = Vpd = +5.0 Vdc)
+10 dBm
Junction Temperature
150 °C
Continuous Pdiss (T = 85 °C)
(derate 57.5 mW/°C above 85 °C)
3.74 W
Thermal Resistance
(junction to ground paddle)
17.4 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-40 to +85 °C
Vs (Vdc)
Icq (mA)
4.75
516
5.0
615
5.25
721
Typical Supply, Current vs. Supply
Voltage, Vcc1 = Vcc2 = Vpd
HMC409LP4
/
409LP4E
GaAs InGaP HBT 1 WATT
POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz
v01.0705
Part Number
Package Body Material
Lead Finish
MSL Rating
Package Marking
[3]
HMC409LP4
Low Stress Injection Molded Plastic
Sn/Pb Solder
MSL1
[1]
H409
XXXX
HMC409LP4E
RoHS-compliant Low Stress Injection Molded Plastic
100% matte Sn
MSL1
[2]
H409
XXXX
[1] Max peak reflow temperature of 235 °C
[2] Max peak reflow temperature of 260 °C
[3] 4-Digit lot number XXXX
Package Information
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HMC409LP4E GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz
HMC410MS8G GaAs MMIC DOUBLE-BALANCED HIGH IP3 MIXER, 9.0 - 15.0 GHz
HMC411MS8G GaAs MMIC SINGLE-BALANCED MIXER, 10.0 - 15.0 GHz
HMC412MS8G DOUBLE-BALANCED MIXER, 9.0 - 15.0 GHz
HMC413QS16G Patch Cord; Cable Length:4ft; Approval Categories:Exceeds Category 6 Standards; Color:White; Features:4-Pair 23 AWG UTP modular cord, very small footprint, exceeds Category 6 standards RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HMC409LP4_10 制造商:HITTITE 制造商全稱:Hittite Microwave Corporation 功能描述:GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz
HMC409LP4E 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC PWR AMP HBT 1W 24-QFN
HMC409LP4ETR 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:HP409 Series 3.3 - 3.8 GHz GaAs InGaP HBT 1 Watt Power Amplifier - QFN-24
HMC40DRAH 功能描述:CONN EDGECARD 80POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:40 位置數(shù):80 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
HMC40DRAH-S734 功能描述:CONN EDGECARD 80POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:40 位置數(shù):80 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
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