參數(shù)資料
型號(hào)： HMC392
廠商： 美國訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 3.5 - 7.0 GHz
中文描述： 砷化鎵MMIC低噪聲放大器，3.5 - 7.0吉赫
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 228K
代理商： HMC392
MICROWAVE CORPORATION
1 - 33
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A
1
HMC392
v00.1002
Outline Drawing
Absolute Maximum Ratings
Drain Bias Voltage (Vdd)
+7.0 Vdc
RF Input Power (RFin)(Vdd = +5.0 Vdc)
+15 dBm
Channel Temperature
175 °C
Continuous Pdiss (T= 85 °C)
(derate 8.125 mW/°C above 85 °C)
0.731 W
Thermal Resistance
(channel to die bottom)
123 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-55 to +85° C
NOTES:
1. ALL DIMENSIONS IN INCHES [MILLIMETERS]
2. ALL TOLERANCES ARE ±0.001 (0.025)
3. DIE THICKNESS IS 0.004 (0.100) BACKSIDE IS GROUND
4. BOND PADS ARE 0.004 (0.100) SQUARE
5. BOND PAD SPACING, CTR-CTR: 0.006 (0.150)
6. BACKSIDE METALLIZATION: GOLD
7. BOND PAD METALLIZATION: GOLD
GaAs MMIC LOW NOISE
AMPLIFIER, 3.5 - 7.0 GHz
Typical Supply Current vs. Vdd
Vdd (Vdc)
Idd (mA)
49
+5.0
50
+5.5
51
(State 5 Depicted)
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