參數(shù)資料
型號(hào)： HMC283LM1
廠商： 美國(guó)訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： SMT MEDIUM POWER GaAs MMIC AMPLIFIER, 17 - 40 GHz
中文描述： 貼片中功率砷化鎵MMIC放大器，17 - 40千兆赫
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： HMC283LM1
MICROWAVE CORPORATION
1 - 13
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A
1
HMC283
v02.0500
Outline Drawing
Absolute Maximum Ratings
GaAs MMIC MEDIUM POWER
AMPLIFIER, 17 - 40 GHz
NOTES:
1. ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES [MM]
2. DIE THICKNESS IS .004”
3. TYPICAL BOND IS .004” SQUARE
4. BACKSIDE METALLIZATION: GOLD
5. BOND PAD METALLIZATION: GOLD
6. BACKSIDE METAL IS GROUND.
7. CONNECTION NOT REQUIRED FOR UNLABELED BOND PADS.
Drain Bias Voltage (Vdd1, Vdd2, Vdd3, Vdd4)
+5.0 Vdc
Drain Bias Current (Idd)
400 mA
Gate Bias Voltage (Vgg1, Vgg2, Vgg3, Vgg4)
-2 to +0.4Vdc
Gate Bias Current (Igg)
4 mA
RF Input Power (RFin)(Vdd = +3.0 Vdc)
+10 dBm
Channel Temperature
175 °C
Continuous Pdiss (T = 85 °C)
(derate 13.04 mW/°C above 85 °C)
1.174 W
Thermal Resistance
(channel to die bottom)
76.7 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-55 to +85 °C
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PDF描述
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