- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄367208 > HMC268LM1 (美國(guó)訊泰微波有限公司上海代表處) SMT LOW NOISE AMPLIFIER MMIC 20 - 32 GHz PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HMC268LM1 |
| 廠(chǎng)商： | 美國(guó)訊泰微波有限公司上海代表處 |
| 英文描述： | SMT LOW NOISE AMPLIFIER MMIC 20 - 32 GHz |
| 中文描述： | 貼片低噪聲放大器單片20 - 32千兆赫 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 174K |
| 代理商： | HMC268LM1 |
1 - 34
12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343
Fax: 978-250-3373
Web Site: www.hittite.com
MICROWAVE CORPORATION
F
EBRUARY
2001
A
M
1
S
HMC268LM1 General Biasing & Application Circuit
Optimal biasing of the HMC268LM1 SMT two stage low noise amplifier Vdd, Vgg1 & Vgg2 DC ports is
described below. The LNA schematic is repeated below. Note the recommended addition of the external
bypass chip capacitor. For additional general MMIC amplifier biasing guidance, please refer to the Hittite
Microwave
“
MMIC Amplifier Biasing Procedure
”
found on page 8-8 in our February 2000 catalog or on
www.hittite.com
under the Application Note section.
IMPORTANT DC LIMITS!
When biasing the HMC268LM1 please note the following;
A) Do Not exceed 3.5 Vdc on internal circuit nodes Vds1 and Vds2 (internal Drain to Source volt-
ages). Calculate the Vds1&2 voltages from the LNA schematic above.
B) Do Not bias Vdd, Vgg1 & Vgg2 DC ports in such a way that Vgs becomes a positive voltage
(internal Gate to Source voltage).
HMC268LM1 Biasing Schemes for Performance Trade-Offs
The biasing may be adjusted slightly to achieve either low noise with lowest DC power consumption or low
noise with highest output power. Be sure to adhere to the
IMPORTANT DC LIMITS!
above while optimiz-
ing performance.
A) Low Noise and Low Power Consumption : Vdd = 3.5Vdc @ Idd = 30mA. Set Vgg1 = Vgg2.
B) Low Noise and High Output Power : Vdd = 4.0Vdc @ Idd = 45mA. Utilizing Vgg1 & Vgg2 nominal
bias is obtained for a typical Idd current of 30mA for the second or
“
output
”
stage and 15 mA for
the first stage. The first step to bias the amplifier is to tune the Vgg1 = -1.0Vdc and Vgg2 to drive
30mA for the full amplifier. Then Vgg1 is reduced to obtain Idd = 45 mA of current for the amplifier.
SMT LOW NOISE AMPLIFIER MMIC 20 - 32 GHz
HMC268LM1
V
01.0900
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| HMC26DRAI | 功能描述:CONN EDGECARD 52POS R/A .100 SLD RoHS:是 類(lèi)別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類(lèi)型:非指定 - 雙邊 類(lèi)型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:22 位置數(shù):44 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):卡擴(kuò)展器 安裝類(lèi)型:板邊緣，跨騎式安裝 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點(diǎn)類(lèi)型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):側(cè)面安裝開(kāi)口，無(wú)螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
| HMC26DRAI-S734 | 功能描述:CONN EDGECARD 52POS .100 R/A PCB RoHS:是 類(lèi)別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類(lèi)型:非指定 - 雙邊 類(lèi)型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:12 位置數(shù):24 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):卡擴(kuò)展器 安裝類(lèi)型:板邊緣，跨騎式安裝 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:錫 觸點(diǎn)涂層厚度:100µin（2.54µm） 觸點(diǎn)類(lèi)型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開(kāi)口，螺紋插件，4-40 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
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