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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM879 |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR |
| 中文描述： | npn型硅外延型晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | HM879 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HM879
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR
Spec. No. : HM200203
Issued Date : 1996.07.01
Revised Date : 2002.02.26
Page No. : 1/3
HM879
HSMC Product Specification
Description
For 1.5V And 3V Electronic Flash Use.
Features
Charger-up time is about 1 mS faster than of a germanium transistor.
Small saturation voltage can bring less power dissipation and flashing times.
Absolute Maximum Ratings
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature.................................................................................... +150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)....................................................................................... 1 W
Maximum Voltages and Currents (Ta=25
°
C)
BVCBO Collector to Base Voltage....................................................................................... 30 V
BVCEX Collector to Emitter Voltage.................................................................................... 20 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage.................................................................................... 10 V
BVEBO Emitter to Base Voltage............................................................................................ 6 V
IC Collector Current............................................................................................................... 3 A
IC Collector Current (Pluse) .................................................................................................. 5 A
Electrical Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCEO
BVEBO
BVCBO
BVCEX
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*hFE
fT
Cob
Min.
10
6
30
20
-
-
-
140
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
0.3
210
200
30
Max.
-
-
-
-
100
100
0.4
400
-
-
Unit
V
V
V
V
nA
nA
V
Test Condition
IC=1mA
IE=10uA
IC=10uA
IC=1mA, VBE=3V
VCB=20V
VBE=4V
IC=3A, IB=60mA
VCE=2V, IC=3A
VCE=10V, IC=50mA
VCB=10V, f=1MHz
*Pulse Test: Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
MHz
pF
SOT-89
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM882 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HM92M | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HM92 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HM94 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HM965 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM88-10091R0LFTR13 | 功能描述:HIGH CURRENT LOW LOSS INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM88 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.9MHz |
| HM88-14121R0LFTR13 | 功能描述:HIGH CURRENT LOW LOSS INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM88 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.9MHz |
| HM882 | 制造商:HSMC 制造商全稱:HSMC 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HM90 | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Surface Mount Planar Transformers |
| HM-90 | 制造商:Tamura Corporation of America 功能描述: |
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