參數(shù)資料
型號(hào)： HM69SPDT312
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： Single Pole Double Throw GaAs PHEMT Switch 0.1 ?6 GHz
中文描述： 單刀雙擲開關(guān)GaAs PHEMT的0.1？6千兆赫
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 140K
代理商： HM69SPDT312
Preliminary
HS/M69SPDT312
Single Pole Double Throw
GaAs PHEMT Switch 0.1 – 6 GHz
Rev 0.3
November 22, 2005
2
Eudyna Devices Inc. Confidential
ARGET SPECIFICATIONS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ambient Temperature Ta=25°C)
Parameter
Symbol
DC Input Voltage
Input Power
Storage Temperature
Operating Case Temperature
Rating
+6
+36
-40 to +85
-40 to +85
Unit
V
dBm
°C
°C
V1, V2
Pin
Tstg
Top
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Case Temperature Tc=25°C)
Parameter
Symbol
Frequency range
F
Condition/comments
Min
0.1
-
-
-
-
Typ
Max
6.0
0.75
0.95
-
-
Unit
GHz
Insertion Loss
I.L.
2.3 – 3.9 GHz
5.1 – 5.9 GHz
2.3 – 3.9 GHz
5.1 – 5.9 GHz
2.3 – 3.9 GHz
5.1 – 5.9 GHz
High
Low
Vhigh=2.8V, Vlow=0V
Vhigh=2.8V, Vlow=0V
0.55
0.75
25
22
20
20
2.8
0
34
15
dB
Isolation
ISO
dB
Return Loss
RL
-
-
dB
Control Voltage V1 V2
Vhigh
Vlow
P0.1dB
Icontrol
2.5
-0.2
-
-
3.3
+0.2
-
-
V
Input P0.1dB
Control Current
(Unless otherwise specified Zsource=Zload=50
System, Tc=25°C)
dBm
uA
TRUTH TABLE
V1
High
Low
V2
Low
High
ANT – RF1
ON
OFF
ANT – RF2
OFF
ON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM6P5331 HM6P5331 - 2.0GHz/500MHz Dual Frequency Synthesizer
HMBT468 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HMBTA14 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HMBTA56 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HMC1001 1- Axis Magnetic Sensors(一軸基本傳感器芯片)
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參數(shù)描述
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HM6AQB18202BPL50 功能描述:SRAM 36MB QDR SYNC 36MB 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
HM6C5332 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:HM6C5332 - 1.2GHz/250MHz Dual Frequency Synthesizer
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HM6F5201 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.5GHz/510MHz Dual Frequency
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