參數(shù)資料
型號(hào)： HM62W4100H
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 4M High Speed SRAM (1-Mword ×4-bit)(4M高速靜態(tài)RAM(1M字×4位))
中文描述： 4分高速SRAM（1 - Mword × 4位）（4分高速靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（100萬(wàn)字× 4位））
文件頁(yè)數(shù)： 11/14頁(yè)
文件大?。?/td> 105K
代理商： HM62W4100H
HM62W4100H Series
11
Low V
CC
Data Retention Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C)
This characteristics is guaranteed only for L-version.
Parameter
Symbol
Min
Typ*
1
Max
Unit
Test conditions
V
≥
CS
≥
V
CC
– 0.2 V
(1) 0 V
≤
Vin
≤
0.2 V or
(2) V
CC
≥
Vin
≥
V
CC
– 0.2 V
V
= 3 V, V
≥
CS
≥
V
CC
– 0.2 V
(1) 0 V
≤
Vin
≤
0.2 V or
(2) V
CC
≥
Vin
≥
V
CC
– 0.2 V
See retention waveform
V
CC
for data retention
V
DR
2.0
—
—
V
Data retention current
I
CCDR
—
40
600
μ
A
Chip deselect to data
retention time
t
CDR
0
—
—
ns
Operation recovery time
Note: 1. Typical values are at V
CC
= 3.0 V, Ta = +25
°
C, and not guaranteed.
t
R
5
—
—
ms
Low V
CC
Data Retention Timing Waveform
V
CC
3.0 V
2.2 V
0 V
CS
t
CDR
t
R
V
CC
≥
CS
≥
V
CC
– 0.2 V
V
DR
Data retention mode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM62W8511HJP-12 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
HM62W8511HJP-15 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
HM62W8511HLJP-12 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
HM62W8511HLJP-15 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
HM62W8511HJPI-15 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HM62W8512BLFP-5 制造商:HITACHI 功能描述:
HM62W8512BLTTI7 制造商:Hitachi 功能描述:
HM-630 制造商:Black Box Corporation 功能描述:FACE PLATE:HM-STAINLESS
HM63021FP 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC
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