- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370628 > HM628127HB (Hitachi,Ltd.) 1 M High Speed SRAM (128-kword ×8-bit)(1 M 高速 SRAM (128k字 ×8位)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM628127HB |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 1 M High Speed SRAM (128-kword ×8-bit)(1 M 高速 SRAM (128k字 ×8位)) |
| 中文描述： | 高1米高速SRAM（128 KWord的× 8位）（1米高速靜態(tài)存儲(chǔ)器（128K的字× 8位）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | HM628127HB |
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HM628127HB Series
11
Low V
CC
Data Retention Characteristics
(Ta = 0 to 70
°
C)
This characteristics is guaranteed only for L-version.
Parameter
Symbol
Min
Typ*
1
Max
Unit
Test conditions
V
≥
CS
≥
V
CC
– 0.2 V
(1) 0 V
≤
Vin
≤
0.2 V or
(2) V
CC
≥
Vin
≥
V
CC
– 0.2 V
V
= 3 V, V
≥
CS
≥
V
CC
– 0.2 V
(1) 0 V
≤
Vin
≤
0.2 V or
(2) V
CC
≥
Vin
≥
V
CC
– 0.2 V
See retention waveform
V
CC
for data retention
V
DR
2.0
—
—
V
Data retention current
I
CCDR
—
2
80
μ
A
Chip deselect to data
retention time
t
CDR
0
—
—
ns
Operation recovery time
Note: 1. Typical values are at V
CC
= 3.0 V, Ta = 25
°
C, and not guaranteed.
t
R
5
—
—
ms
Low V
CC
Data Retention Timing Waveform
CC
V
4.5 V
2.2 V
0 V
CS
t
CDR
t
R
V
≥
CS
≥
V – 0.2 V
DR
Data retention mode
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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