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參數(shù)資料
| 型號： | HM624256A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 262144-word ×4-bit High Speed CMOS Static RAM(262144字 ×4位高速CMOS SRAM) |
| 中文描述： | 262144字× 4位高速CMOS靜態(tài)RAM（262144字× 4位高速CMOS SRAM的） |
| 文件頁數(shù)： | 10/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | HM624256A |
HM624256A Series
10
Low V
CC
Date Retention Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C)
This characteristics is guaranteed only for L-version.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max Unit Test Conditions
CS
≥
V
CC
– 0.2 V,
Vin
≥
V
– 0.2 V or
0 V
≤
Vin
≤
0.2 V
V
CC
for data retention
V
DR
2.0
—
—
V
Data retention current
I
CCDR
—
2
50
*1
μ
A
Chip deselect to data retention time
t
CDR
0
—
—
ns
Operation recovery time
Note:
1. V
CC
= 3.0 V
t
R
5
—
—
ms
Low V
CC
Data Retention Timing Waveform
CC
4.5 V
V
2.2 V
DR
V
0 V
CS
t
CDR
t
R
CS V – 0.2 V
Data retention mode
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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