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參數(shù)資料
| 型號： | HM5117805 |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| 中文描述： | 16米EDO公司的DRAM（2 Mword × 8位）2度刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 9/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 549K |
| 代理商： | HM5117805 |
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EO rdc
HM5117805 Series
Data Sheet E0156H10
9
Read Cycle
HM5117805
-5
-6
-7
Parameter
Access time from
RAS
Access time from
CAS
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OEA
t
RCS
t
RCH
—
50
—
60
—
70
ns
8, 9
—
13
—
15
—
18
ns
9, 10, 17
Access time from address
Access time from
OE
—
25
—
30
—
35
ns
9, 11, 17
—
13
—
15
—
18
ns
9
Read command setup time
Read command hold time to
CAS
Read command hold time from
RAS
t
RCHR
Read command hold time to
RAS
Column address to
RAS
lead time
Column address to
CAS
lead time
CAS
to output in low-Z
0
—
0
—
0
—
ns
0
—
0
—
0
—
ns
12
50
—
60
—
70
—
ns
t
RRH
t
RAL
t
CAL
t
CLZ
t
OH
t
OHO
t
OFF
t
OEZ
t
CDD
t
OHR
t
OFR
t
WEZ
t
WED
t
RDD
t
RNCD
0
—
0
—
0
—
ns
12
25
—
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—
35
—
ns
15
—
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—
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—
ns
0
—
0
—
0
—
ns
Output data hold time
Output data hold time from
OE
3
—
3
—
3
—
ns
20
3
—
3
—
3
—
ns
Output buffer turn-off time
Output buffer turn-off to
OE
CAS
to Din delay time
Output data hold time from
RAS
Output buffer turn-off to
RAS
Output buffer turn-off to
WE
WE
to Din delay time
RAS
to Din delay time
RAS
next
CAS
delay time
—
13
—
15
—
15
ns
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—
15
—
15
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13
13
—
15
—
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5
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—
3
—
3
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ns
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15
—
15
ns
20
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—
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—
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ns
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15
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ns
13
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15
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60
—
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—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HM5117805LTT-6 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HM5117805LJ-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
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