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參數(shù)資料
| 型號： | HI1609 |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | HI1609 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HI1609
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE9018-B
Issued Date : 1996.04.15
Revised Date : 2000.11.01
Page No. : 1/3
HSMC Product Specification
Description
Low frequency high voltage amplifier
Complementary pair with HI1109
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25
°
C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature.................................................................................................... +150
°
C
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Tc=25
°
C) .................................................................................... 20 W
Maximum Voltages and Currents
BVCBO Collector to Base Voltage.................................................................................... 160 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. 160 V
BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... 5 V
IC Collector Current (DC)............................................................................................... 100 mA
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
*VCE(sat)
VBE(on)
*hFE1
*hFE2
fT
Cob
Min.
160
160
5
-
-
-
60
30
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
140
3.8
Max.
-
-
-
10
2
1.5
320
-
-
-
Unit
V
V
V
uA
V
V
Test Conditions
IC=10uA, IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=10uA, IC=0
VCB=140V, IE=0
IC=30mA, IB=3mA
IC=10mA, VCE=5V
VCE=5V, IC=10mA
VCE=5V, IC=1mA
VCE=5V, IC=10mA
VCB=10V, f=1MHz
*Pulse Test : Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
MHz
pF
Classification Of hFE1
Rank
Range
B
C
D
60-120
120-200
160-320
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HI210 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HI340 | RELAY SSR SPST 120MA 6-DIP |
| HI350 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HI41C | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HI42C | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HI1612X560R-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 56ohms 100MHz 10A Monolithic 1612 SMD RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
| HI1-674A DIE | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HI1-674AJD5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Converter IC |
| HI1-674AJD-5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:ADC 12BIT 83KSPS 28SBDIP COM - Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HI1-674AKD5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Converter IC |
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