參數(shù)資料
型號： HGTG30N60B3D
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2.5V 36-mc CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述： 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 214K
代理商： HGTG30N60B3D
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTG30N60B3D, HGT4E30N60B3DS Rev. B1
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 16. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
FIGURE 17. DIODE FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
FIGURE 18. RECOVERY TIME vs FORWARD CURRENT
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
5
10
15
20
25
0
C
2
4
6
8
10
C
RES
FREQUENCY = 1MHz
C
OES
C
IES
Z
θ
J
,
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-5
10
-3
10
0
10
1
10
-4
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
10
-1
10
-2
SINGLE PULSE
10
0
10
-1
10
-2
P
D
t
1
t
2
0.50
0.05
0.01
0.02
0.10
0.20
I
E
,
V
EC
, FORWARD VOLTAGE (V)
3.0
2.0
2.5
1.5
1.0
0.5
0
0
25
50
75
100
125
3.5
4.0
150
175
200
100
o
C
25
o
C
-55
o
C
30
40
20
0
t
I
EC
, FORWARD CURRENT (A)
2
30
1
10
10
20
50
5
t
rr
t
a
t
b
T
C
= 25
o
C, dI
EC
/dt = 200A/
μ
s
HGTG30N60B3D, HGT4E30N60B3DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGT5A27N120BN 72A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTA32N60E2 Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 25V; Case Size: 6.3x11 mm; Packaging: Bulk
HGTD6N40E1 6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD6N40E1S 6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD6N50E1 6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
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參數(shù)描述
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HGTG30N60C3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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