參數(shù)資料
型號： HGTG20N60B3D
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3.3V 36-mc CPLD
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 179K
代理商： HGTG20N60B3D
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTG20N60B3D Rev. B
FIGURE 13. OPERATING FREQUENCY vs COLLECTOR TO
EMITTER CURREN T
FIGURE 14. SWITCHING SAFE OPERATING AREA
FIGURE 15. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
FIGURE 16. DIODE FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
FIGURE 17. RECOVERY TIMES vs FORWARD CURRENT
Typical Performance Curves
(Continued)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
f
M
,
5
10
20
30
40
10
100
500
V
CE
= 480V
f
MAX2
=
(P
D
- P
C
)/(E
ON
+E
OFF
)
P
D
= ALLOWABLE DISSIPATION
P
C
= CONDUCTION DISSIPATION
(DUTY FACTOR = 50%)
R
θ
JC
=
0.76
o
C/W
f
MAX1
= 0.05/(t
d(OFF)I
+ t
d(ON)I
)
T
J
= 150
o
C, T
C
= 75
o
C, V
GE
= 15V
R
G
= 10
, L = 100mH
100
200
300
400
500
600
700
0
20
0
40
80
100
120
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
I
C
,
T
C
= 150
o
C, V
GE
= 15V, R
G
= 10
60
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.01
0.1
0.2
0.05
0.02
SINGLE PULSE
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
R
0.5
25
o
C
150
o
C
100
o
C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
20
40
60
80
100
0
I
E
,
V
EC
, FORWARD VOLTAGE (V)
1
10
20
5
50
40
30
20
10
0
t
b
t
r
,
I
EC
, FORWARD CURRENT (A)
t
rr
t
a
T
C
= 25
o
C, dI
EC
/dt = 100A/
μ
s
HGTG20N60B3D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTG20N60C3D 45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode(45A, 600V, UFS系列帶超快二極管的N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
HGTG20N60C3D 3.3V 36-mc CPLD
HGTG20N60C3 45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT(45A, 600V, UFS系列 N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
HGTG30N60A4D 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode(600V, SMPS系列 N溝道IGBT,帶反并行超快二極管)
HGTG30N60A4D 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGTG20N60B3D 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IGBT TO-247
HGTG20N60B3D_Q 功能描述:IGBT 晶體管 600V IGBT UFS N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG20N60C3 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HGTG20N60C3D 功能描述:IGBT 晶體管 UFS 20A 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG20N60C3D 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*