參數(shù)資料
型號： HGTG10N120BND
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 36 MACROCELL 3.3 VOLT ISP CPLD
中文描述： 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大小： 217K
代理商： HGTG10N120BND
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTG12N60A4D 36 MACROCELL 3.3 VOLT ISP CPLD
HGTP12N60A4D 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGT1S12N60A4DS9A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 54A I(C) | TO-263AB
HGTP12N60A4D Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 25V; Case Size: 5x11 mm; Packaging: Bulk
HGT1S12N60A4DS 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HGTG10N120ND 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
HGTG11N120CN 功能描述:IGBT 晶體管 43A 1200V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG11N120CND 功能描述:IGBT 晶體管 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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