參數(shù)資料
型號(hào)： HGT1S7N60B3S
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs(14A, 600V, UFS系列 N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 92K
代理商： HGT1S7N60B3S
6
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 16. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
5
10
15
20
25
0
200
C
400
600
800
1000
1200
FREQUENCY = 1MHz
C
IES
C
OES
C
RES
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-5
10
-3
10
0
10
1
10
-4
10
-1
10
-2
10
0
Z
θ
J
,
10
-1
10
-2
t
1
t
2
P
D
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 17. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 18. SWITCHING TEST WAVEFORMS
R
G
= 50
L = 2mH
V
DD
= 480V
+
-
RHRD660
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
HGTD7N60B3S, HGT1S7N60B3S, HGTP7N60B3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTD7N60B3S 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGT1S7N60C3D 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTP7N60C3D 72 MACROCELL 3.3 VOLT ISP CPLD
HGTP7N60C3D 3.3V 72-mc CPLD
HGT1S7N60C3DS 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGT1S7N60B3S9A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 7A I(C) | TO-263AB
HGT1S7N60C3D 功能描述:IGBT 晶體管 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1S7N60C3DS 功能描述:IGBT 晶體管 7A 600V TF=275NS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1S7N60C3DS9A 功能描述:IGBT 晶體管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1Y40N60B3D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
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