參數(shù)資料
型號: HFA3096
廠商: Intersil Corporation
英文描述: Ultra High Frequency Transistor Arrays
中文描述: 超高頻晶體管陣列
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大小: 57K
代理商: HFA3096
3-451
V
CE
= 5V and I
C
= 10mA
1.0E+08
0.72
-16.43
15.12
165.22
1.27E-02
75.41
0.95
-14.26
2.0E+08
0.67
-31.26
13.90
152.04
2.34E-02
62.89
0.88
-26.95
3.0E+08
0.60
-43.76
12.39
141.18
3.13E-02
52.58
0.79
-37.31
4.0E+08
0.53
-54.00
10.92
132.57
3.68E-02
44.50
0.70
-45.45
5.0E+08
0.47
-62.38
9.62
125.78
4.05E-02
38.23
0.63
-51.77
6.0E+08
0.42
-69.35
8.53
120.37
4.31E-02
33.34
0.57
-56.72
7.0E+08
0.37
-75.26
7.62
116.00
4.49E-02
29.47
0.51
-60.65
8.0E+08
0.34
-80.36
6.86
112.39
4.63E-02
26.37
0.47
-63.85
9.0E+08
0.31
-84.84
6.22
109.36
4.72E-02
23.84
0.44
-66.49
1.0E+09
0.29
-88.83
5.69
106.77
4.80E-02
21.75
0.41
-68.71
1.1E+09
0.27
-92.44
5.23
104.51
4.86E-02
20.00
0.39
-70.62
1.2E+09
0.25
-95.73
4.83
102.53
4.90E-02
18.52
0.37
-72.28
1.3E+09
0.24
-98.75
4.49
100.75
4.94E-02
17.25
0.35
-73.76
1.4E+09
0.22
-101.55
4.19
99.16
4.97E-02
16.15
0.34
-75.08
1.5E+09
0.21
-104.15
3.93
97.70
4.99E-02
15.19
0.33
-76.28
1.6E+09
0.20
-106.57
3.70
96.36
5.01E-02
14.34
0.32
-77.38
1.7E+09
0.20
-108.85
3.49
95.12
5.03E-02
13.60
0.31
-78.41
1.8E+09
0.19
-110.98
3.30
93.96
5.05E-02
12.94
0.31
-79.37
1.9E+09
0.18
-113.00
3.13
92.87
5.06E-02
12.34
0.30
-80.27
2.0E+09
0.18
-114.90
2.98
91.85
5.07E-02
11.81
0.30
-81.13
2.1E+09
0.17
-116.69
2.84
90.87
5.08E-02
11.33
0.30
-81.95
2.2E+09
0.17
-118.39
2.72
89.94
5.09E-02
10.89
0.29
-82.74
2.3E+09
0.16
-120.01
2.60
89.06
5.10E-02
10.50
0.29
-83.50
2.4E+09
0.16
-121.54
2.49
88.21
5.11E-02
10.13
0.29
-84.24
2.5E+09
0.16
-122.99
2.39
87.39
5.12E-02
9.80
0.29
-84.95
2.6E+09
0.15
-124.37
2.30
86.60
5.12E-02
9.49
0.29
-85.64
2.7E+09
0.15
-125.69
2.22
85.83
5.13E-02
9.21
0.29
-86.32
2.8E+09
0.15
-126.94
2.14
85.09
5.13E-02
8.95
0.29
-86.98
2.9E+09
0.15
-128.14
2.06
84.36
5.14E-02
8.71
0.29
-87.62
3.0E+09
0.14
-129.27
1.99
83.66
5.15E-02
8.49
0.29
-88.25
Common Emitter S-Parameters of PNP 3
μ
m x 50
μ
m Transistor
FREQ. (Hz)
|S
11
|
PHASE(S
11
)
|S
21
|
PHASE(S
21
)
|S
12
|
PHASE(S
12
)
|S
22
|
PHASE(S
22
)
V
CE
= -5V and I
C
= -5mA
1.0E+08
0.72
-16.65
10.11
166.77
1.66E-02
77.18
0.96
-10.76
2.0E+08
0.68
-32.12
9.44
154.69
3.10E-02
65.94
0.90
-20.38
3.0E+08
0.62
-45.73
8.57
144.40
4.23E-02
56.39
0.82
-28.25
4.0E+08
0.57
-57.39
7.68
135.95
5.05E-02
48.66
0.74
-34.31
5.0E+08
0.52
-67.32
6.86
129.11
5.64E-02
42.52
0.67
-38.81
Common Emitter S-Parameters of NPN 3
μ
m x 50
μ
m Transistor
(Continued)
FREQ. (Hz)
|S
11
|
PHASE(S
11
)
|S
21
|
PHASE(S
21
)
|S
12
|
PHASE(S
12
)
|S
22
|
PHASE(S
22
)
HFA3046, HFA3096, HFA3127, HFA3128
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PDF描述
HFA3128B Ultra High Frequency Transistor Arrays
HFA3127B Ultra High Frequency Transistor Arrays
HFA3046B Ultra High Frequency Transistor Arrays
HFA3096B Ultra High Frequency Transistor Arrays
HFA3134IHZ96 Ultra High Frequency Matched Pair Transistors
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HFA3096B 功能描述:IC TRANS ARRAY NPN/PNP 16-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
HFA3096B96 功能描述:IC TRANS ARRAY NPN/PNP 16-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
HFA3096BZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
HFA3096BZ96 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA30PA60C 功能描述:整流器 600 Volt 2x15 Amp Common Cathode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel