參數(shù)資料
型號： HFA3046
廠商： Intersil Corporation
英文描述： Ultra High Frequency Transistor Arrays(超高頻晶體管陣列)
中文描述： 超高頻晶體管陣列（超高頻晶體管陣列）
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大?。?/td> 299K
代理商： HFA3046
9
FN3076.13
December 21, 2005
FIGURE 3. NPN DC CURRENT GAIN vs COLLECTOR CURRENT
FIGURE 4. NPN GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs COLLECTOR
CURRENT (UHF 3 x 50 WITH BOND PADS)
FIGURE 5. PNP COLLECTOR CURRENT vs COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
FIGURE 6. PNP COLLECTOR CURRENT AND BASE
CURRENT vs BASE TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 7. PNP DC CURRENT GAIN vs COLLECTOR
CURRENT
FIGURE 8. PNP GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs COLLECTOR
CURRENT (UHF 3 x 50 WITH BOND PADS)
Typical Performance Curves
(Continued)
COLLECTOR CURRENT (A)
V
CE
= 3V
160
140
120
D
1
μ
100
80
60
40
20
0
10
μ
100
μ
1m
10m
100m
COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE
= 1V
1.0
10
100
10.0
8.0
6.0
G
0.1
V
CE
= 5V
V
CE
= 3V
4.0
2.0
0
I
B
= -400
μ
A
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
I
B
= -80
μ
A
-1
-2
-3
-4
-5
0
-25
-20
-15
-10
-5
C
0
I
B
= -320
μ
A
I
B
= -240
μ
A
I
B
= -160
μ
A
BASE TO EMITTER VOLTAGE (V)
I
B
V
CE
= -3V
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
-100m
-10m
-1m
-100
μ
C
I
C
-0.5
-10
μ
-1
μ
-100n
-10n
-1n
A
COLLECTOR CURRENT (A)
160
140
120
D
-1
μ
100
80
60
40
20
0
-10
μ
-100
μ
-1m
-10m
-100m
V
CE
= -3V
COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE
= -5V
5.0
G
4.0
3.0
2.0
1.0
-0.1
-1.0
-10
-100
V
CE
= -3V
V
CE
= -1V
HFA3046, HFA3096, HFA3127, HFA3128
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PDF描述
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參數(shù)描述
HFA3046_05 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Transistor Arrays
HFA3046B 功能描述:IC TRANSISTOR ARRAY NPN 14-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
HFA3046B96 功能描述:IC TRANS ARRAY NPN DIFF 14-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
HFA3046BZ 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA3046BZ96 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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