參數(shù)資料
型號： HFA3046
廠商： Intersil Corporation
英文描述： Ultra High Frequency Transistor Arrays(超高頻晶體管陣列)
中文描述： 超高頻晶體管陣列（超高頻晶體管陣列）
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 299K
代理商： HFA3046
5
FN3076.13
December 21, 2005
DIFFERENTIAL PAIR MATCHING CHARACTERISTICS FOR THE HFA3046
Input Offset Voltage
I
C
= 10mA, V
CE
= 5V
-
1.5
5.0
-
1.5
5.0
mV
Input Offset Current
I
C
= 10mA, V
CE
= 5V
-
5
25
-
5
25
μ
A
Input Offset Voltage TC
I
C
= 10mA, V
CE
= 5V
-
0.5
-
-
0.5
-
μ
V/°C
S-Parameter and PSPICE model data is available from Intersil Sales Offices, and Intersil Corporation’s web site.
Electrical Specifications
T
A
= 25°C
(Continued)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
DIE
SOIC, QFN
UNITS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
Common Emitter S-Parameters of NPN 3
μ
m x 50
μ
m Transistor
FREQ. (Hz)
|S
11
|
PHASE(S
11
)
|S
21
|
PHASE(S
21
)
|S
12
|
PHASE(S
12
)
|S
22
|
PHASE(S
22
)
V
CE
= 5V and I
C
= 5mA
1.0E+08
0.83
-11.78
11.07
168.57
1.41E-02
78.88
0.97
-11.05
2.0E+08
0.79
-22.82
10.51
157.89
2.69E-02
68.63
0.93
-21.35
3.0E+08
0.73
-32.64
9.75
148.44
3.75E-02
59.58
0.86
-30.44
4.0E+08
0.67
-41.08
8.91
140.36
4.57E-02
51.90
0.79
-38.16
5.0E+08
0.61
-48.23
8.10
133.56
5.19E-02
45.50
0.73
-44.59
6.0E+08
0.55
-54.27
7.35
127.88
5.65E-02
40.21
0.67
-49.93
7.0E+08
0.50
-59.41
6.69
123.10
6.00E-02
35.82
0.62
-54.37
8.0E+08
0.46
-63.81
6.11
119.04
6.27E-02
32.15
0.57
-58.10
9.0E+08
0.42
-67.63
5.61
115.57
6.47E-02
29.07
0.53
-61.25
1.0E+09
0.39
-70.98
5.17
112.55
6.63E-02
26.45
0.50
-63.96
1.1E+09
0.36
-73.95
4.79
109.91
6.75E-02
24.19
0.47
-66.31
1.2E+09
0.34
-76.62
4.45
107.57
6.85E-02
22.24
0.45
-68.37
1.3E+09
0.32
-79.04
4.15
105.47
6.93E-02
20.53
0.43
-70.19
1.4E+09
0.30
-81.25
3.89
103.57
7.00E-02
19.02
0.41
-71.83
1.5E+09
0.28
-83.28
3.66
101.84
7.05E-02
17.69
0.40
-73.31
1.6E+09
0.27
-85.17
3.45
100.26
7.10E-02
16.49
0.39
-74.66
1.7E+09
0.25
-86.92
3.27
98.79
7.13E-02
15.41
0.38
-75.90
1.8E+09
0.24
-88.57
3.10
97.43
7.17E-02
14.43
0.37
-77.05
1.9E+09
0.23
-90.12
2.94
96.15
7.19E-02
13.54
0.36
-78.12
2.0E+09
0.22
-91.59
2.80
94.95
7.21E-02
12.73
0.35
-79.13
2.1E+09
0.21
-92.98
2.68
93.81
7.23E-02
11.98
0.35
-80.09
2.2E+09
0.20
-94.30
2.56
92.73
7.25E-02
11.29
0.34
-80.99
2.3E+09
0.20
-95.57
2.45
91.70
7.27E-02
10.64
0.34
-81.85
2.4E+09
0.19
-96.78
2.35
90.72
7.28E-02
10.05
0.33
-82.68
2.5E+09
0.18
-97.93
2.26
89.78
7.29E-02
9.49
0.33
-83.47
2.6E+09
0.18
-99.05
2.18
88.87
7.30E-02
8.96
0.33
-84.23
2.7E+09
0.17
-100.12
2.10
88.00
7.31E-02
8.47
0.33
-84.97
2.8E+09
0.17
-101.15
2.02
87.15
7.31E-02
8.01
0.33
-85.68
2.9E+09
0.16
-102.15
1.96
86.33
7.32E-02
7.57
0.33
-86.37
3.0E+09
0.16
-103.11
1.89
85.54
7.32E-02
7.16
0.33
-87.05
HFA3046, HFA3096, HFA3127, HFA3128
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HFA30PA60CPBF Ultrafast Soft Recovery Dioe
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HFA3046_05 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Transistor Arrays
HFA3046B 功能描述:IC TRANSISTOR ARRAY NPN 14-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
HFA3046B96 功能描述:IC TRANS ARRAY NPN DIFF 14-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
HFA3046BZ 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA3046BZ96 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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