參數(shù)資料
型號： HEF4069UBN
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 電容
英文描述： CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681
中文描述： 陶瓷芯片/mil-prf-55681
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： HEF4069UBN
January 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
Hex inverter
HEF4069UB
gates
AC CHARACTERISTICS
V
SS
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; C
L
= 50 pF; input transition times
≤
20 ns
V
DD
V
SYMBOL
TYP. MAX.
TYPICAL EXTRAPOLATION FORMULA
Propagation delays
I
n
→
O
n
HIGH to LOW
5
45
20
15
40
20
15
60
30
20
60
30
20
90 ns
40 ns
25 ns
80 ns
40 ns
30 ns
120 ns
60 ns
40 ns
120 ns
60 ns
40 ns
18 ns
+
(0,55 ns/pF) C
L
9 ns
+
(0,23 ns/pF) C
L
7 ns
+
(0,16 ns/pF) C
L
13 ns
+
(0,55 ns/pF) C
L
9 ns
+
(0,23 ns/pF) C
L
7 ns
+
(0,16 ns/pF) C
L
10 ns
+
(1,0 ns/pF) C
L
9 ns
+
(0,42 ns/pF) C
L
6 ns
+
(0,28 ns/pF) C
L
10 ns
+
(1,0 ns/pF) C
L
9 ns
+
(0,42 ns/pF) C
L
6 ns
+
(0,28 ns/pF) C
L
10
15
t
PHL
5
LOW to HIGH
10
15
t
PLH
Output transition times
HIGH to LOW
5
10
15
t
THL
5
LOW to HIGH
10
15
t
TLH
V
DD
V
TYPICAL FORMULA FOR P (
μ
W)
Dynamic power
dissipation per
package (P)
5
600 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
4 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
22 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
where
f
i
= input freq. (MHz)
f
o
= output freq. (MHz)
C
L
= load capacitance (pF)
∑
(f
o
C
L
) = sum of outputs
V
DD
= supply voltage (V)
10
15
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