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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52RD649DC-B |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
| 中文描述： | 512MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 464K |
| 代理商： | HB52RD649DC-B |
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HB52RF649DC-B, HB52RD649DC-B
Data Sheet E0223H30 (Ver. 3.0)
11
Notes: 1. AC measurement assumes tT = 1ns. Reference level for timing of input signals is 1.5V.
2. Access time is measured at 1.5V. Load condition is CL = 50pF.
3. tLZ (min.) defines the time at which the outputs achieves the low impedance state.
4. tHZ (max.) defines the time at which the outputs achieves the high impedance state.
5. tCES defines CKE setup time to CK rising edge except power down exit command.
Test Conditions
Input and output timing reference levels: 1.5V
Input waveform and output load: See following figures
tT
2.4V
0.4V
0.8V
2.0V
input
t
T
I/O
CL
Input waveform and output load
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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