參數(shù)資料
型號： H11F2
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光電耦合器
英文描述： PHOTO FET OPTOCOUPLERS
中文描述： 1 CHANNEL FET OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝： DIP-6
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 403K
代理商： H11F2
6/24/02
Page 2 of 9
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
PHOTO FET OPTOCOUPLERS
H11F1 H11F2 H11F3
Absolute Maximum Ratings
(T
A
= 25
°
C unless otherwise speci
fi
ed)
Parameter
Symbol
Device
Value
Units
TOTAL DEVICE
Storage Temperature
T
STG
All
-55 to +150
°
C
Operating Temperature
T
OPR
T
SOL
All
-55 to +100
°
C
Lead Solder Temperature
EMITTER
All
260 for 10 sec
°
C
Continuous Forward Current
I
F
All
60
mA
Reverse Voltage
V
R
All
5
V
Forward Current - Peak (10 μs pulse, 1% duty cycle)
I
F(pk)
All
1
A
LED Power Dissipation 25
°
C Ambient
P
D
All
100
mW
Derate Linearly From 25
°
C
DETECTOR
1.33
mW/
°
C
Detector Power Dissipation @ 25
°
C
P
D
All
300
mW
Derate linearly from 25
°
C
4.0
mW/
°
C
Breakdown Voltage (either polarity)
BV
4-6
H11F1, H11F2
±30
V
H11F3
±15
V
Continuous Detector Current (either polarity)
I
4-6
All
±100
mA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C Unless otherwise speci
fi
ed.)
INDIVIDUAL COMPONENT CHARACTERISTICS
Parameter
Test Conditions
Symbol
Device
Min
Typ*
Max
Unit
EMITTER
Input Forward Voltage
I
F
V
= 16 mA
V
F
All
1.3
1.75
V
Reverse Leakage Current
R
= 5 V
I
R
All
10
μA
Capacitance
OUTPUT DETECTOR
V = 0 V, f = 1.0 MHz
C
J
All
50
pF
Breakdown Voltage
Either Polarity
I
4-6
= 10μA, I
F
= 0
BV
4-6
H11F1, H11F2
30
V
H11F3
15
Off-State Dark Current
V
4-6
= 15 V, I
F
= 0
I
4-6
All
50
nA
V
4-6
= 15 V, I
F
= 0, T
A
= 0
= 100
°
C
All
50
μA
Off-State Resistance
V
4-6
= 15 V, I
F
R
4-6
All
300
M
Capacitance
V
4-6
= 15 V, I
F
= 0, f = 1MHz
C
4-6
All
15
pF
相關PDF資料
PDF描述
H11F3 PHOTO FET OPTOCOUPLERS
H11G1M Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 3.6 to 3.8; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G1SM Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 3.7 to 3.9; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G1SR2M Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 3.8 to 4.0; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G1SR2VM Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 3.9 to 4.1; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
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