參數(shù)資料
型號: H11D3M
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 光電耦合器
英文描述: IGBT; VCES (V): 400; Ic (A): 150; VGES (V): 6; Condition ICES at VCE=400V,VGE=0V (µA): 10; Condition IGES at VGE=VGES,VCE=0V (µA): ±10; Condition VGE (th) at VCE=10V,IC=1mA (V): 1.5; Package Code: PTSP0008JB-B (TTP-8DV)
中文描述: 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝: PLASTIC, DIP-6
文件頁數(shù): 6/9頁
文件大?。?/td> 226K
代理商: H11D3M
H
2000 Fairchild Semiconductor Corporation
H11DXM, 4N38M, MOC8204M Rev. 1.0.2
www.fairchildsemi.com
6
Package Dimensions
Through Hole
Surface Mount
0.4" Lead Spacing
Recommended Pad Layout for
Surface Mount Leadform
Note:
All dimensions are in inches (millimeters).
0.350 (8.89)
0.320 (8.13)
0.260 (6.60)
0.240 (6.10)
0.320 (8.13)
0.070 (1.77)
0.040 (1.02)
0.014 (0.36)
0.010 (0.25)
0.200 (5.08)
0.115 (2.93)
0.100 (2.54)
0.015 (0.38)
0.020 (0.50)
0.016 (0.41)
0.100 (2.54)
15°
0.012 (0.30)
0.350 (8.89)
0.320 (8.13)
0.260 (6.60)
0.240 (6.10)
0.390 (9.90)
0.332 (8.43)
0.070 (1.77)
0.040 (1.02)
0.014 (0.36)
0.010 (0.25)
0.320 (8.13)
0.035 (0.88)
0.006 (0.16)
0.012 (0.30)
0.008 (0.20)
0.200 (5.08)
0.115 (2.93)
0.025 (0.63)
0.020 (0.51)
0.020 (0.50)
0.016 (0.41)
0.100 [2.54]
0.350 (8.89)
0.320 (8.13)
0.260 (6.60)
0.240 (6.10)
0.070 (1.77)
0.040 (1.02)
0.014 (0.36)
0.010 (0.25)
0.200 (5.08)
0.115 (2.93)
0.020 (0.50)
0.016 (0.41)
0.100 [2.54]
0.100 (2.54)
0.015 (0.38)
0.012 (0.30)
0.008 (0.21)
0.425 (10.80)
0.400 (10.16)
0.070 (1.78)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.100 (2.54)
0.305 (7.75)
0.425 (10.79)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
H11D4 HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11D4300 HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11D4300W HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11D43S HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11D43SD HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
H11D3S 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11D3S_Q 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11D3SD 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11D3SM 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Phototrans RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11D3SR2M 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk