參數(shù)資料
型號(hào)： H11D2M
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 光電耦合器
英文描述： IGBT; VCES (V): 400; Ic (A): 150; VGES (V): 4; Condition ICES at VCE=400V,VGE=0V (µA): 10; Condition IGES at VGE=VGES,VCE=0V (µA): ±10; Condition VGE (th) at VCE=10V,IC=1mA (V): 1.2; Package Code: PTSP0008JB-B (TTP-8DV)
中文描述： 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝： PLASTIC, DIP-6
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 226K
代理商： H11D2M
H
2000 Fairchild Semiconductor Corporation
H11DXM, 4N38M, MOC8204M Rev. 1.0.2
www.fairchildsemi.com
5
Typical Performance Curves
T
A
- AMBIENT TEMPERATURE (C)
N
C
Fig. 3 Normalized Output Current vs. LED Input Current
I
F
- LED INPUT CURRENT (mA)
1
10
N
C
0.01
0.1
1
10
Normalized to:
V
CE
= 10 V
I
F
= 10 mA
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
T
A
- AMBIENT TEMPERATURE (C)
N
C
Fig. 4 Normalized Output Current vs. Temperature
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.1
1
Normalized to:
V
CE
= 10 V
I
F
= 10 mA
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
I
F
= 10 mA
I
F
= 5 mA
I
F
= 20 mA
T
A
- AMBIENT TEMPERATURE (C)
N
C
Fig. 6 Normalized Collector-Base Current vs. Temperature
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Normalized to:
V
CE
= 10 V
I
F
= 10 mA
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
I
F
= 50 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 5 mA
Fig. 5 Normalized Dark Current vs. Ambient Temperature
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0.1
1
10
100
1000
10000
V
CE
= 300 V
V
CE
= 100 V
V
CE
= 50 V
Normalized to:
V
CE
= 100 V
R
BE
= 10
T
A
= 25C
V
CE
- COLLECTOR VOLTAGE (V)
N
C
Fig. 2 Normalized Output Characteristics
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
Normalized to:
V
CE
= 10 V
I
F
= 10 mA
R
BE
= 10
6
T
A
= 25C
I
F
= 50 mA
I
F
= 5 mA
I
F
= 10 mA
I
F
- LED FORWARDCURRENT (mA)
V
F
Fig. 1 LED Forward Voltage vs. Forward Current
1
10
100
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
T
A
= 55C
T
A
= 25C
T
A
= 100C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
H11D3M IGBT; VCES (V): 400; Ic (A): 150; VGES (V): 6; Condition ICES at VCE=400V,VGE=0V (µA): 10; Condition IGES at VGE=VGES,VCE=0V (µA): ±10; Condition VGE (th) at VCE=10V,IC=1mA (V): 1.5; Package Code: PTSP0008JB-B (TTP-8DV)
H11D4 HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11D4300 HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11D4300W HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11D43S HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
H11D2S 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類(lèi)型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11D2S_Q 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類(lèi)型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11D2SD 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類(lèi)型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11D2SM 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:6-PIN DIP, HV TRANS OUTPUT, SURFACE MOUNT - Bulk
H11D2SR2 制造商:Motorola Inc 功能描述:11D2SR2
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