參數(shù)資料
型號： GWM160-0055P3
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Three phase full bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
中文描述： 160 A, 55 V, 0.0029 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/3頁
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代理商： GWM160-0055P3
2004 IXYS All rights reserved
4
3 - 3
GWM 160-0055P3
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
-50
0
50
100
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
100
200
300
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
R
DSon
I
D
A
V
DS
T
VJ
C
V
GS
V
V
T
VJ
= 25°C
R
DSon(25°C)
0
0
50
100
150
200
250
300
-I
D
350
400
A
V
SD
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
GS
= 0 V
1
3
5
7
0
2
4
6
8
V
0
50
100
150
200
250
I
D
300
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
V
GS
A
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
s
K/W
Z
thJC
V
Q
G
V
GS
= 8 V
10 V
12 V
V
DS
= 14 V
V
DS
= 44 V
I
D
= 25 A
Fig. 1: typ. output characteristics
[V
DS
= I
D
(R
DSon
+ 2x R
pin to chip
)]
Fig. 4: typ. gate charge characteristics
Fig. 6: typ. transient thermal impedance
Fig. 2: typ. dependence of R
DSon
on temperature
Fig. 3: typ.transfer characteristics
Fig. 5: typ. conduction characteristics
of body diode
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