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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GSC6680 |
| 廠商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | GSC6680 |
GSC6680
Page: 5/5
ISSUED DATE :2005/06/27
REVISED DATE :2006/10/02C
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Fig 13. Switching Time Circuit
Fig 14. Switching Time Waveform
Fig 15. Gate Charge Circuit
Fig 16. Gate Charge Waveform
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| GSC70DRST-S273 | 功能描述:CONN EDGECARD 140PS DIP .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:40 位置數(shù):80 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，無(wú)螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
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