參數(shù)資料
型號: GSC6680
廠商: GTM CORPORATION
英文描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述: N溝道增強型功率MOSFET
文件頁數(shù): 3/5頁
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代理商: GSC6680
GSC6680
Page: 3/5
ISSUED DATE :2005/06/27
REVISED DATE :2006/10/02C
Characteristics Curve
Fig 5. Maximum Drain Current
v.s. Case Temperature
Fig 6. Type Power Dissipation
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
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PDF描述
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GSC70DRST-S273 功能描述:CONN EDGECARD 140PS DIP .100 SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:40 位置數(shù):80 卡厚度:0.031"(0.79mm) 行數(shù):2 間距:0.100"(2.54mm) 特點:- 安裝類型:通孔,直角 端子:焊接 觸點材料:銅鈹 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin(0.76µm) 觸點類型::全波紋管 顏色:藍 包裝:管件 法蘭特點:頂部安裝開口,無螺紋,0.125"(3.18mm)直徑 材料 - 絕緣體:聚對苯二甲酸丁二酯(PBT) 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
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