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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GSC6679 |
| 廠商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | GSC6679 |
GSC6679
Page: 4/4
ISSUED DATE :2005/08/04
REVISED DATE :2006/10/27C
Important Notice:
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TEL : 86-21-5895-7671 ~ 4 FAX : 86-21-38950165
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| GSC70DRST-S273 | 功能描述:CONN EDGECARD 140PS DIP .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:40 位置數(shù):80 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開(kāi)口，無(wú)螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
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