參數(shù)資料
型號(hào): GSC6679
廠商: GTM CORPORATION
英文描述: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述: P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 273K
代理商: GSC6679
GSC6679
Page: 3/4
ISSUED DATE :2005/08/04
REVISED DATE :2006/10/27C
Characteristics Curve
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristics of
Reverse Diode
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
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PDF描述
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GSC70DRSN-S273 功能描述:CONN EDGECARD 140PS DIP .100 SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:18 位置數(shù):36 卡厚度:0.062"(1.57mm) 行數(shù):2 間距:0.156"(3.96mm) 特點(diǎn):卡擴(kuò)展器 安裝類型:板邊緣,跨騎式安裝 端子:焊接孔眼 觸點(diǎn)材料:亞穩(wěn)態(tài) 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin(0.76µm) 觸點(diǎn)類型::全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口,浮動(dòng)線軸,0.116"(2.95mm)直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚(PPS) 工作溫度:-65°C ~ 200°C 讀數(shù):單路
GSC70DRST-S273 功能描述:CONN EDGECARD 140PS DIP .100 SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:40 位置數(shù):80 卡厚度:0.031"(0.79mm) 行數(shù):2 間距:0.100"(2.54mm) 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔,直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin(0.76µm) 觸點(diǎn)類型::全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口,無(wú)螺紋,0.125"(3.18mm)直徑 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯(PBT) 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙