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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS882V37AB |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K × 36 9Mb以上SCD的/雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/28頁(yè) |
| 文件大小： | 637K |
| 代理商： | GS882V37AB |
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GS882V37AB/D-250/225/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 7/2004
16/28
2002, GSI Technology
Notes:
1.
2.
These parameters are sampled and are not 100% tested.
ZZ is an asynchronous signal. However, in order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold
times as specified above.
AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
-250
-225
-200
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Pipeline
Clock Cycle Time
tKC
4.0
—
4.4
—
5.0
—
ns
Clock to Output Valid
tKQ
—
2.0
—
2.2
—
2.5
ns
Clock to Output Invalid
tKQX
1.0
—
1.0
—
1.0
—
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ
1
1.0
—
1.0
—
1.0
—
ns
Setup time
tS
1.2
—
1.3
—
1.4
—
ns
Hold time
tH
0.2
—
0.3
—
0.4
—
ns
G to Output Valid
tOE
—
1.8
—
2.0
—
2.5
ns
G to output in High-Z
tOHZ
1
—
1.8
—
2.0
—
2.5
ns
Clock HIGH Time
tKH
1.3
—
1.3
—
1.3
—
ns
Clock LOW Time
tKL
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Clock to Output in
High-Z
tHZ
1
1.5
2.3
1.5
2.5
1.5
3.0
ns
G to output in Low-Z
tOLZ
1
0
—
0
—
0
—
ns
ZZ setup time
tZZS
2
5
—
5
—
5
—
ns
ZZ hold time
tZZH
2
1
—
1
—
1
—
ns
ZZ recovery
tZZR
100
—
100
—
100
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS882V37AB-200 | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS882V37AB-200I | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
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| GS882Z18AB-133 | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS882V37BB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 2.2NS 119FBGA - Trays |
| GS882V37BGB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:256KX36(9 MEG)SYNCH BURST,"+1 SERIES" SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
| GS882V37BGB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256KX36(9 MEG)SYNCH BURST,"+1 SERIES" SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
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