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您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385342 > GS88236AB-200I (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載

參數(shù)資料

型號(hào)：	GS88236AB-200I
廠商：	GSI TECHNOLOGY
元件分類：	DRAM
英文描述：	512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述：	256K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝：	PLASTIC, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)：	19/38頁(yè)
文件大?。?/td>	744K
代理商：	GS88236AB-200I

GS88218/36AB/D-250/225/200/166/150/133

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

Rev: 1.04 11/2004

19/38

2001, GSI Technology

Notes:

1.

2.

These parameters are sampled and are not 100% tested.

ZZ is an asynchronous signal. However, in order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold

times as specified above.

AC Electrical Characteristics

Parameter

Symbol

-250

-225

-200

-166

-150

-133

Unit

Min

4.0

—

1.5

Max

—

2.5

—

Min

4.4

—

1.5

Max

—

2.7

—

Min

5.0

—

1.5

Max

—

3.0

—

Min

6.0

—

1.5

Max

—

3.4

—

Min

6.7

—

1.5

Max

—

3.8

—

Min

7.5

—

1.5

Max

—

4.0

—

Pipeline

Clock Cycle Time

Clock to Output Valid

Clock to Output Invalid

tKC

tKQ

tKQX

ns

ns

ns

Clock to Output in Low-Z

tLZ

1

tS

tH

tKC

tKQ

tKQX

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Setup time

Hold time

Clock Cycle Time

Clock to Output Valid

Clock to Output Invalid

1.2

0.2

5.5

—

3.0

—

—

—

5.5

—

1.3

0.3

6.0

—

3.0

—

—

—

6.0

—

1.4

0.4

6.5

—

3.0

—

—

—

6.5

—

1.5

0.5

7.0

—

3.0

—

—

—

7.0

—

1.5

0.5

7.5

—

3.0

—

—

—

7.5

—

1.5

0.5

8.5

—

3.0

—

—

—

8.5

—

ns

ns

ns

ns

ns

Flow

Through

Clock to Output in Low-Z

tLZ

1

tS

tH

tKH

tKL

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

ns

Setup time

Hold time

Clock HIGH Time

Clock LOW Time

Clock to Output in

High-Z

G to Output Valid

1.5

0.5

1.3

1.5

—

—

—

—

1.5

0.5

1.3

1.5

—

—

—

—

1.5

0.5

1.3

1.5

—

—

—

—

1.5

0.5

1.3

1.5

—

—

—

—

1.5

0.5

1.5

1.7

—

—

—

—

1.5

0.5

1.7

2

—

—

—

—

ns

ns

ns

ns

tHZ

1

1.5

2.3

1.5

2.5

1.5

3.0

1.5

3.0

1.5

3.0

1.5

3.0

ns

tOE

—

2.3

—

2.5

—

3.2

—

3.5

—

3.8

—

4.0

ns

G to output in Low-Z

tOLZ

1

0

—

0

—

0

—

0

—

0

—

0

—

ns

G to output in High-Z

tOHZ

1

—

2.3

—

2.5

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

ns

ZZ setup time

tZZS

2

5

—

5

—

5

—

5

—

5

—

5

—

ns

ZZ hold time

tZZH

2

tZZR

1

—

1

—

1

—

1

—

1

—

1

—

ns

ZZ recovery

20

—

20

—

20

—

20

—

20

—

20

—

ns

相關(guān)PDF資料	PDF描述
GS88236AB-225	512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88236AB-225I	512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88236AB-250	512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88236AB-250I	512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88236AD-133	512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
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GS88236CB-200IV	制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays
GS88236CB-250	制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 5.5NS/2.5NS 119FPBGA - Trays
GS88236CD-200	制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays

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