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參數(shù)資料
| 型號： | GS881E36T-11I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 11 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 22/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 487K |
| 代理商： | GS881E36T-11I |
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Rev: 1.10 9/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
22/34
2000, Giga Semconductor, Inc.
Preliminary
GS881E18/36T-11/11.5/100/80/66
Pipelined DCD Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADV
GW
BW
E
1
G
WR1
Q1
A
D1a
Q2
A
Q2
B
Q2c
Q2
D
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tH
tS tH
tStH
tKH
E
1
masks ADSP
E
2
only sampled with ADSP and ADSC
DQ
A
–DQ
D
tKL
tKC
tS
tH
Single Write
ADSP is blocked by E
1
inactive
tKQ
tS tH
Hi-Z
B
A
–B
D
ADSC
tS tH
ADSC initiated read
RD1
WR1
RD2
tS tH
A
0
–A
n
E
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E36T-66 | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-66I | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-80 | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-80I | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-100 | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS881E36T-66 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-66I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-80 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-80I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881EV18BT-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 18 (9 MEG) SYNCH BURST , DCD, JTAG - Trays |
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