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參數(shù)資料
| 型號： | GS881E18T-11I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 11 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 9/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 487K |
| 代理商： | GS881E18T-11I |
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Rev: 1.10 9/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
9/34
2000, Giga Semconductor, Inc.
Preliminary
GS881E18/36T-11/11.5/100/80/66
Byte Write Truth Table
Notes:
1.
2.
3.
4.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C,
and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x36 version.
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
L
X
X
X
X
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18T-66 | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-66I | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-80 | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-80I | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS881E18T-66I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-80 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
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