- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383053 > GS88118 (GSI TECHNOLOGY) 8Mb（512K x 18Bit) ByteSafe Synchronous Burst SRAM(8M位（512K x 18位）ByteSafe同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS88118 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 8Mb（512K x 18Bit) ByteSafe Synchronous Burst SRAM(8M位（512K x 18位）ByteSafe同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 8MB的（為512k × 18位）ByteSafe同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（800萬(wàn)位（為512k × 18位）ByteSafe同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/33頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 463K |
| 代理商： | GS88118 |
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Rev: 1.11 9/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
27/33
2000, Giga Semconductor, Inc.
Preliminary
GS88118/36T-11/11.5/100/80/66
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Symbol Mn.
V
IHT
V
ILT
I
INTH
I
INTL
I
OLT
V
OHT
V
OLT
Max.
V
DD
+0.3
Unit Notes
Test Port Input High Voltage
1.7
V
1, 2
Test Port Input Low Voltage
–0.3
0.8
V
1, 2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–300
1
uA
3
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–1
1
uA
4
TDO Output Leakage Current
–1
1
uA
5
Test Port Output High Voltage
2.4
—
V
6, 7
Test Port Output Low Voltage
—
0.4
V
6, 8
Notes:
1.
2.
This device features input buffers compatible with both 3.3 V and 2.5 V I/O drivers.
Input Under/overshoot voltage must be –2 V > Vi < V
DD
+2 V with a pulse width not to exceed 20%
tTKC.
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
The TDO output driver is served by the V
DD
supply.
I
OH
= –4 mA
I
OL
= +4 mA
3.
4.
5.
6.
7.
8.
Notes:
1.
Include scope and jig capacitance.
Parameter
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Conditions
2.3 V
0.2 V
1 V/ns
1.25 V
1.25 V
DQ
V
T
= 1.25 V
50
30pF
*
JTAG Port AC Test Load
*Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18T | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-100I | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-11 | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-11.5 | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-11.5I | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS88118AD-133 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88118AD-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88118AD-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88118AD-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88118AD-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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