參數(shù)資料
型號： GS8662S09E-200I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
中文描述： 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁數(shù)： 19/37頁
文件大?。?/td> 960K
代理商： GS8662S09E-200I
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
19/37
2005, GSI Technology
Programmable Impedance HSTL Output Driver DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Units
Notes
Output High Voltage
V
OH1
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
/2 + 0.12
V
1, 3
Output Low Voltage
V
OL1
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
/2 + 0.12
V
2, 3
Output High Voltage
V
OH2
V
DDQ
– 0.2
V
DDQ
V
4, 5
Output Low Voltage
V
OL2
Vss
0.2
V
4, 6
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
I
OH
= (V
DDQ
/2) / (RQ/5) +/– 15% @ V
OH
= V
DDQ
/2 (for: 175
≤
RQ
≤
350
).
I
OL
= (V
DDQ
/2) / (RQ/5) +/– 15% @ V
OL
= V
DDQ
/2 (for: 175
≤
RQ
≤
350
)
.
Parameter tested with RQ = 250
and V
DDQ
= 1.5 V or 1.8 V
Minimum Impedance mode, ZQ = V
SS
I
OH
= –1.0 mA
I
OL
= 1.0 mA
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PDF描述
GS8662S09E-250 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS88136AD-133 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS88136AT-150 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS88136AT-150I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS88136AT-166 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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