參數(shù)資料
型號(hào): GS8662S08E-167I
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
中文描述: 8M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 4/37頁(yè)
文件大?。?/td> 960K
代理商: GS8662S08E-167I
4M x 18 SigmaQuad SRAM—Top View
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2
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A
CQ
V
SS
/SA
(144Mb)
SA
R/W
BW1
K
NC
LD
SA
SA
CQ
B
NC
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D9
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V
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NC
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NC
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NC
D14
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V
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V
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V
DD
V
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V
DD
V
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NC
D3
Q3
L
NC
Q15
D15
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
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NC
NC
Q2
M
NC
NC
D16
V
SS
V
SS
V
SS
V
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V
SS
NC
Q1
D2
N
NC
D17
Q16
V
SS
SA
SA
SA
V
SS
NC
NC
D1
P
NC
NC
Q17
SA
SA
C
SA
SA
NC
D0
Q0
R
TDO
TCK
SA
SA
SA
C
SA
SA
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—15 x 17 mm
2
Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1.
2.
BW0 controls writes to D0:D8. BW1 controls writes to D9:D17.
It is recommended that H1 be tied low for compatibility with future devices.
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
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2005, GSI Technology
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8662S08E-200 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08E-200I 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08E-250 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08E-250I 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08E-300 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS8662S08E-200 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08E-200I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08E-250 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08E-250I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S08E-300 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM