參數(shù)資料
型號： GS832436B-225
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 1M X 36 CACHE SRAM, 6 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
文件頁數(shù)： 25/46頁
文件大小： 1149K
代理商： GS832436B-225
Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
25/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
WR2
WR3
WR1
WR1
WR2
WR3
tKC
Single Write
Burst Write
t
KL
t
KH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tStH
tS tH
Write specified byte for 2
A
and all bytes for 2
B
, 2
C
& 2
D
ADV must be inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
ADSP is blocked by E inactive
A
0
–An
B
A
–B
D
DQ
A
–DQ
D
Write
Deselected
Write Cycle Timing
E
1
tS tH
E
1
only sampled with ADSP or ADSC
E
1
masks ADSP
G
D2
A
D2
B
D2
C
D2
D
D3
A
D1
A
Hi-Z
tS tH
相關PDF資料
PDF描述
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GS832436B-250 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS832436B-250I 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS832436C-133 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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