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參數(shù)資料
| 型號： | GS832418B-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 19/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 1149K |
| 代理商： | GS832418B-200 |
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Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
19/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
Absolute Maximum Ratings
(All voltages reference to V
SS
)
Note:
Permanent damage to the device may occur if the Absolute Maximum Ratings are exceeded. Operation should be restricted to Recommended
Operating Conditions. Exposure to conditions exceeding the Absolute Maximum Ratings, for an extended period of time, may affect reliability of
this component.
Symbol
V
DD
V
DDQ
V
CK
V
I/O
V
IN
I
IN
I
OUT
P
D
T
STG
Description
Voltage on V
DD
Pins
Voltage in V
DDQ
Pins
Value
Unit
–
0.5 to 4.6
V
–
0.5 to 4.6
V
Voltage on Clock Input Pin
–
0.5 to 6
V
Voltage on I/O Pins
–
0.5 to V
DDQ
+0.5 (
≤
4.6 V max.)
–
0.5 to V
DD
+0.5 (
≤
4.6 V max.)
V
Voltage on Other Input Pins
V
Input Current on Any Pin
+/
–
20
mA
Output Current on Any I/O Pin
+/
–
20
mA
Package Power Dissipation
1.5
W
Storage Temperature
–
55 to 125
o
C
T
BIAS
Temperature Under Bias
–
55 to 125
o
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832418B-200I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
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| GS832418B-225I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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