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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS832272C-166 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 200萬× 18，100萬× 36，為512k × 72分配36MB的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 24/41頁 |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | GS832272C-166 |
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Preliminary
GS832218(B/E)/GS832236(B/E)/GS832272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 9/2004
24/41
2001, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832272C-166I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832218B-166I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832218B-200 | 512K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM |
| GS832218B-200I | 512K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM |
| GS832218B-225 | 512K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS832272C-166I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 36MBIT 512KX72 8NS/3.5NS 209FBGA - Trays |
| GS832272C-166IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V/2.5V 36MBIT 512KX72 8NS/3.5NS 209BGA - Trays |
| GS832272C-166V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V/2.5V 36MBIT 512KX72 8NS/3.5NS 209BGA - Trays |
| GS832272C-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 36MBIT 512KX72 7.5NS/3NS 209FBGA - Trays |
| GS832272C-225 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 36MBIT 512KX72 7NS/3NS 209FBGA - Trays |
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