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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS832218E-250I |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 18，100萬(wàn)× 36，為512k × 72分配36MB的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/41頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | GS832218E-250I |
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Preliminary
GS832218(B/E)/GS832236(B/E)/GS832272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 9/2004
24/41
2001, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832236 | 64K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM |
| GS832236E | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-200 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-200I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-225 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS832218GB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832218GB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832218GB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832218GB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832236AB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
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