參數(shù)資料
型號： GS8321V3GE-200
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 200萬× 18，100萬× 32，100萬× 36同步突發(fā)靜態(tài)存儲器分配36MB
文件頁數(shù)： 26/31頁
文件大?。?/td> 735K
代理商： GS8321V3GE-200
GS8321V18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
26/31
2003, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
Boundary Scan (BSDL Files)
For information regarding the Boundary Scan Chain, or to obtain BSDL files for this part, please contact our Applications
Engineering Department at: apps@gsitechnology.com.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GS8321V18E-150 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18E-150I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18E-166 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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