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參數(shù)資料
| 型號： | GS8321V3E-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 200萬× 18，100萬× 32，100萬× 36同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器分配36MB |
| 文件頁數(shù)： | 8/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 735K |
| 代理商： | GS8321V3E-200 |
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GS8321V18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
8/31
2003, GSI Technology
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
Notes:
1.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C
and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x36 version.
L
X
X
X
X
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8321V3GE-200 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18E-133 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18E-133I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18E-150 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18E-150I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8321V3GE-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321Z18AD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8321Z18AD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8321Z18AGD-375I | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FPBGA - Bulk |
| GS8321Z18E | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs |
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