- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383046 > GS8321V18GE-225 (GSI TECHNOLOGY) 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS8321V18GE-225 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 10/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 735K |
| 代理商： | GS8321V18GE-225 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁當(dāng)前第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁
First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
S
S
CR
R
CW
CR
CR
Notes:
1.
2.
The diagram shows only supported (tested) synchronous state transitions. The diagram presumes G is tied low.
The upper portion of the diagram assumes active use of only the Enable (E1) and Write (B
A
, B
B
, B
C
, B
D
, BW, and GW) control inputs, and
that ADSP is tied high and ADSC is tied low.
The upper and lower portions of the diagram together assume active use of only the Enable, Write, and ADSC control inputs, and
assumes ADSP is tied high and ADV is tied low.
3.
GS8321V18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
10/31
2003, GSI Technology
Simplified State Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8321V18GE-225I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-250 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-250I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V32E-133 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V32E-133I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8321V18GE-225I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V32E-133 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V32E-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。