參數(shù)資料
型號(hào)： GS8321V18GE-150I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 2M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 25/31頁(yè)
文件大?。?/td> 735K
代理商： GS8321V18GE-150I
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
V
IHJ
V
ILJ
I
INHJ
I
INLJ
I
OLJ
V
OHJ
V
OLJ
V
OHJC
V
OLJC
Min.
0.6 * V
DD
Max.
V
DD
+0.3
0.3 * V
DD
Unit Notes
1.8 V Test Port Input High Voltage
V
1
1.8 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
–
1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
V
DDQ
– 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 3.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
ILJ
≤
V
IN
≤
V
DDn
0 V
≤
V
IN
≤
V
ILJn
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DDn
The TDO output driver is served by the V
DDQ
supply.
I
OHJ
=
–
4 mA
I
OLJ
= + 4 mA
I
OHJC
= –100 uA
I
OHJC
= +100 uA
GS8321V18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
25/31
2003, GSI Technology
JTAG Port AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as as shown unless otherwise noted.
Parameter
Conditions
V
DD
– 0.2 V
0.2 V
1 V/ns
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
DQ
V
DDQ
/2
50
30pF
*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8321V18GE-166 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18GE-166I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18GE-200 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18GE-200I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18GE-225 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS8321V18GE-166 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18GE-166I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18GE-200 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18GE-200I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18GE-225 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*