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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8321V18GE-150I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 11/31頁 |
| 文件大小： | 735K |
| 代理商： | GS8321V18GE-150I |
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First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
CR
R
CW
CR
CR
W
CW
W
CW
Notes:
1.
2.
The diagram shows supported (tested) synchronous state transitions plus supported transitions that depend upon the use of G.
Use of “Dummy Reads” (Read Cycles with G High) may be used to make the transition from read cycles to write cycles without passing
through a deselect cycle. Dummy read cycles increment the address counter just like normal read cycles.
Transitions shown in gray tone assume G has been pulsed high long enough to turn the RAM’s drivers off and for incoming data to meet
Data Input Set Up Time.
3.
GS8321V18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
11/31
2003, GSI Technology
Simplified State Diagram with G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8321V18GE-166 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-166I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-200 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8321V18GE-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-166I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
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