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參數(shù)資料
| 型號： | GS8321EV36GE-250 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, BUMP, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 16/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 734K |
| 代理商： | GS8321EV36GE-250 |
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Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-250
-225
-200
-166
-150
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x32/
x36)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
280
50
290
50
245
45
255
45
215
40
225
40
200
35
210
35
190
30
200
30
Flow
Through
I
DD
I
DDQ
210
25
220
25
200
25
210
25
190
20
200
20
180
20
190
20
170
20
180
20
(x18)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
260
25
270
25
225
25
235
25
195
20
205
20
180
20
190
20
170
20
180
20
Flow
Through
I
DD
I
DDQ
190
15
200
15
180
15
190
15
170
15
180
15
160
15
170
15
150
15
160
15
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
I
SB
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
Flow
Through
I
SB
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
75
80
75
80
70
75
70
75
65
70
Flow
Through
I
DD
65
70
65
70
60
65
60
65
55
60
GS8321EV18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
16/33
2003, GSI Technology
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD3
, V
DD2
, V
DDQ3
, and V
DDQ2
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8321V18E | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-150 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-150I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-166 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-166I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8321V18E | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18E-133 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18E-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18E-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18E-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
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