參數(shù)資料
型號(hào)： GS8321E18AD-333IT
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： CACHE SRAM, PBGA165
封裝： FPBGA-165
文件頁數(shù)： 6/32頁
文件大?。?/td> 736K
代理商： GS8321E18AD-333IT
Capacitance
oC, f = 1 MHZ, VDD = 2.5 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
4
5
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
VOUT = 0 V
6
7
pF
GS8321E18/32/36AD-400/375/333/250/200/150
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00a 2/2011
14/32
2010, GSI Technology
Preliminary
Note:
These parameters are sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDDQ/2
Output load
Fig. 1
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1 unless otherwise noted.
3. Device is deselected as defined by the Truth Table.
DQ
VDDQ/2
50
Ω
30pF*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
(TA = 25
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