參數(shù)資料
型號(hào)： GS832018GT-133
廠(chǎng)商： Electronic Theatre Controls, Inc.
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 200萬(wàn)× 18，100萬(wàn)× 32，100萬(wàn)× 36同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器分配36MB
文件頁(yè)數(shù)： 19/25頁(yè)
文件大?。?/td> 669K
代理商： GS832018GT-133
GS832018/32/36T-250/225/200/166/150/133
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 10/2004
19/25
2003, GSI Technology
Flow Through Mode Timing
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS832018GT-133I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832032GT-133 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832032GT-133I Film Capacitor; Voltage Rating:400VDC; Capacitor Dielectric Material:Polyester; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; Lead Pitch:7.5mm; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Series:184 RoHS Compliant: Yes
GS832032GT-150 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832032GT-150I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS832018GT-133I 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832018GT-133IV 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 36MBIT 2MX18 8.5NS/4NS 100TQFP - Trays
GS832018GT-133V 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832018GT-150 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832018GT-150I 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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