參數(shù)資料
型號(hào)： GS820H32A
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 2Mb（64K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(2M位（64K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
中文描述： 2MB的（64K的x 32位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（200萬(wàn)位（64K的× 32位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器））
文件頁(yè)數(shù)： 11/23頁(yè)
文件大?。?/td> 341K
代理商： GS820H32A
Rev: 1.04 3/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
11/23
2000, Giga Semconductor, Inc.
E
GS820H32AT/Q-150/138/133/117/100/66
AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
3.
4.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1 unless otherwise noted.
Output Load 2 for t
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
and t
OHZ
.
Device is deselected as defined by the Truth Table.
Parameter
Conditions
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Output load
2.3V
0.2V
1V/ns
1.25V
1.25V
Fig. 1& 2
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Mn
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
-1uA
1uA
ZZ Input Current
I
INZZ
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable,
V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
= - 8mA, V
DDQ
=2.375V
I
OH
= -8mA, V
DDQ
=3.135V
I
OL
= 8mA
-1uA
-1uA
1uA
300uA
Mode Pin Input Current
I
INM
-300uA
-1uA
1uA
1uA
Output Leakage Current
I
OL
-1uA
1uA
Output High Voltage
V
OH
V
OH
V
OL
1.7V
Output High Voltage
2.4V
Output Low Voltage
0.4V
DQ
VT=1.25V
50
30pF
*
DQ
2.5V
Output Load 1
Output Load 2
225
225
5pF
*
*Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS820H32 2Mb（64K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(2M位（64K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
GS832018 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832018GT-133 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832018GT-133I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832032GT-133 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS820H32A2T-138 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM
GS820H32AQ-133 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM
GS820H32AQ-133I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM
GS820H32AQ-138 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM
GS820H32AQ-138I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM
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